近日，美光宣布已經提前量產全球首款232層3D NAND芯片，這預示著3D NAND芯片正式進入200+層時代。

圖源：美光

據(jù)悉，單顆232層3D NAND芯片可以提供高達1TB的巨大存儲容量，相比176層3D NAND芯片性能有極大提升。單位面積密度高出45%以上、數(shù)據(jù)處理速度快50%，如果使用全新的11.5mmx13.5mm封裝技術，就可以比上一代封裝的芯片體積再小28%。產品可以滿足人工智能和機器學習等以數(shù)據(jù)為中心的工作負載的低延遲和高吞吐量需求，非結構化數(shù)據(jù)庫和實時分析以及云計算。

今年5月，美光表示232層NAND閃存的量產定于今年年底。然而，它比原計劃提前了兩個月發(fā)布了這款產品，美光期待該產品能成為人工智能和云計算領域的高性能產品。

目前，三星、西部數(shù)據(jù)、鎧俠等廠商也都在往200+層3D NAND閃存領域發(fā)力，競爭愈發(fā)激烈。

據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，美光在2022年第一季度全球NAND閃存市場占據(jù)10.9%的份額，位列第五。三星電子和SK海力士是領跑者，緊隨其后的是鎧俠和西部數(shù)據(jù)。